12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8S7170NR3
FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5
MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3
FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3
FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3
MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3
FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
MRF8S9260HSR3
FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS
MRF9002NR2
MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
相关代理商/技术参数
MRF8S26120HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 27W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S7120NR3
功能描述:FET RF LDMOS 768MHZ 28V RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF8S7170N
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF8S7170NR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S7235N
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF8S7235NR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHZ OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260H
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S8260HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray